‘세계 최고층’ 238단 낸드 개발
크기·전력소모↓ 속도·생산성↑

삼성은 ‘페타바이트’ 비전 제시
최소 서버로 대량 데이터 처리

SK하이닉스가 세계 최초로 업계 최고층인 238단 낸드플래시 개발에 성공했다. 메모리 3위 업체인 미국 마이크론테크놀로지가 지난달부터 양산에 들어간 232단을 뛰어넘으며 낸드플래시의 핵심 경쟁력인 ‘적층 기술’에서 한발 앞서게 됐다.

SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) 4D 낸드플래시(사진) 샘플을 고객에게 출시했다고 3일 밝혔다. 내년 상반기부터 본격적인 양산에 들어간다.

낸드플래시는 스마트폰·PC 등 전자기기에 탑재돼 전원이 꺼져도 데이터를 저장해 주는 메모리 반도체로, 데이터 저장공간인 셀(Cell)을 수직으로 쌓는 적층 기술이 경쟁력의 척도로 꼽힌다. 4D는 기존 3D보다 단위당 셀 면적은 줄이면서 생산 효율은 높인 기술로, 이번 238단은 단수가 높아졌을 뿐만 아니라 세계에서 가장 작은 크기로 만들어졌다. 이에 전 세대인 176단보다 생산성이 34% 개선됐다. 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대보다 50% 빨라졌다. 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량은 기존보다 21% 줄었다.

SK하이닉스는 이날 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 이 제품을 공개했다. 최정달 SK하이닉스 부사장(낸드 개발 담당)은 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스의 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나가겠다”고 강조했다. SK하이닉스는 내년에 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1TB(테라바이트) 제품도 선보일 예정이다.

2002년부터 20년 연속 낸드플래시 점유율 세계 1위를 수성하고 있는 삼성전자는 이 행사에서 차세대 낸드플래시 기술을 대거 선보였다. 최진혁 삼성전자 메모리사업부 부사장은 ‘빅데이터 시대의 메모리 혁신’을 주제로 한 기조연설에서 “최근 폭발적인 데이터 증가가 메모리 업계에 큰 도전이 되고 있다. 삼성전자는 데이터의 이동·저장·처리·관리 등 분야에 맞는 혁신적인 반도체 솔루션으로 인공지능과 머신러닝 등 다양한 시장을 선도해 나가겠다”며 개발 중인 차세대 메모리 솔루션을 대거 소개했다.

특히 1000조 바이트급 저장 시스템인 ‘페타바이트 스토리지’ 구축 계획을 공개했다. 1페타바이트는 6GB 영화 17만 4000편을 담을 수 있는 용량이다. 지난 5월 업계 최초로 개발한 차세대 메모리반도체 규격 ‘UFS 4.0’ 메모리는 이달부터 양산한다고 밝혔다. 신속한 대용량 처리가 필요한 플래그십 스마트폰에 우선 적용된다. AR(증강현실)·VR(가상현실) 기기에도 탑재될 전망이다.